IMTA65R050M2HXTMA1 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMTA65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 650 V, 0.046 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 321.44 грн |
| 50+ | 275.23 грн |
| 100+ | 233.29 грн |
| 250+ | 211.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMTA65R050M2HXTMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IMTA65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 650 V, 0.046 ohm, LHSOF, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 197W, Bauform - Transistor: LHSOF, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC G2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IMTA65R050M2HXTMA1 за ціною від 167.53 грн до 598.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMTA65R050M2HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET |
на замовлення 363 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IMTA65R050M2HXTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IMTA65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 650 V, 0.046 ohm, LHSOF tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 197W Bauform - Transistor: LHSOF Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IMTA65R050M2HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IMTA65R050M2HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |