Продукція > INFINEON > IMTA65R050M2HXTMA1
IMTA65R050M2HXTMA1

IMTA65R050M2HXTMA1 INFINEON

4265862.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMTA65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 650 V, 0.046 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+327.27 грн
50+280.23 грн
100+237.53 грн
250+215.68 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMTA65R050M2HXTMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IMTA65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 650 V, 0.046 ohm, LHSOF, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 197W, Bauform - Transistor: LHSOF, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC G2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IMTA65R050M2HXTMA1 за ціною від 170.57 грн до 609.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IMTA65R050M2HXTMA1 IMTA65R050M2HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMTA65R050M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+439.93 грн
10+332.33 грн
100+234.00 грн
500+207.92 грн
1000+201.58 грн
2000+170.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R050M2HXTMA1 IMTA65R050M2HXTMA1 INFINEON 4265862.pdf Description: INFINEON - IMTA65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 650 V, 0.046 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+480.22 грн
5+403.75 грн
10+327.27 грн
50+280.23 грн
100+237.53 грн
250+215.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R050M2HXTMA1 IMTA65R050M2HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMTA65R050M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5e8a7a9085a Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+609.76 грн
10+425.30 грн
100+354.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R050M2HXTMA1 Infineon-IMTA65R050M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IMTA65R050M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+439.93 грн
10+332.33 грн
100+234.00 грн
500+207.92 грн
1000+201.58 грн
2000+170.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R050M2HXTMA1 4265862.pdf
IMTA65R050M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMTA65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 650 V, 0.046 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+480.22 грн
5+403.75 грн
10+327.27 грн
50+280.23 грн
100+237.53 грн
250+215.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R050M2HXTMA1 Infineon-IMTA65R050M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5e8a7a9085a
IMTA65R050M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+609.76 грн
10+425.30 грн
100+354.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.