Продукція > INFINEON > IMTA65R060M2HXTMA1
IMTA65R060M2HXTMA1

IMTA65R060M2HXTMA1 INFINEON

4265863.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMTA65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 650 V, 0.055 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+324.81 грн
100+223.66 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMTA65R060M2HXTMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IMTA65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 650 V, 0.055 ohm, LHSOF, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 37A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 165W, Bauform - Transistor: LHSOF, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC G2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IMTA65R060M2HXTMA1 за ціною від 181.84 грн до 543.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IMTA65R060M2HXTMA1 IMTA65R060M2HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMTA65R060M2H-DataSheet-v02_03-EN.pdf SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+442.40 грн
10+331.51 грн
100+254.44 грн
500+219.91 грн
1000+214.27 грн
2000+181.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R060M2HXTMA1 IMTA65R060M2HXTMA1 INFINEON 4265863.pdf Description: INFINEON - IMTA65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 650 V, 0.055 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+508.18 грн
10+324.81 грн
100+223.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R060M2HXTMA1 IMTA65R060M2HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMTA65R060M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5e8542e0839 Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+543.16 грн
10+372.16 грн
100+305.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R060M2HXTMA1 Infineon-IMTA65R060M2H-DataSheet-v02_03-EN.pdf
IMTA65R060M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+442.40 грн
10+331.51 грн
100+254.44 грн
500+219.91 грн
1000+214.27 грн
2000+181.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R060M2HXTMA1 4265863.pdf
IMTA65R060M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMTA65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 650 V, 0.055 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+508.18 грн
10+324.81 грн
100+223.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R060M2HXTMA1 Infineon-IMTA65R060M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5e8542e0839
IMTA65R060M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+543.16 грн
10+372.16 грн
100+305.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.