Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IMTA65R060M2HXTMA1

IMTA65R060M2HXTMA1

Infineon-IMTA65R060M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5e8542e0839
Код товару: 222120
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
очікується: 5 шт
  • 5 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IMTA65R060M2HXTMA1 за ціною від 180.36 грн до 479.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMTA65R060M2HXTMA1 IMTA65R060M2HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMTA65R060M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5e8542e0839 Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+180.36 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R060M2HXTMA1 IMTA65R060M2HXTMA1 Infineon Technologies infineonimta65r060m2hdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 5-Pin(4+Tab) LHSOF T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+273.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R060M2HXTMA1 IMTA65R060M2HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMTA65R060M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5e8542e0839 Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+479.67 грн
10+310.94 грн
100+225.39 грн
500+199.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R060M2HXTMA1 IMTA65R060M2HXTMA1 Infineon Technologies Infineon_IMTA65R060M2H_DataSheet_v02_01_EN.pdf SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R060M2HXTMA1 IMTA65R060M2HXTMA1 INFINEON 4265863.pdf Description: INFINEON - IMTA65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 650 V, 0.055 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 165W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R060M2HXTMA1 IMTA65R060M2HXTMA1 Infineon Technologies infineonimta65r060m2hdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 5-Pin(4+Tab) LHSOF T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R060M2HXTMA1 IMTA65R060M2HXTMA1 INFINEON 4265863.pdf Description: INFINEON - IMTA65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 650 V, 0.055 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 165W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R060M2HXTMA1 Infineon-IMTA65R060M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5e8542e0839
IMTA65R060M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+180.36 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R060M2HXTMA1 infineonimta65r060m2hdatasheetv0201en.pdf
IMTA65R060M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 5-Pin(4+Tab) LHSOF T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+273.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R060M2HXTMA1 Infineon-IMTA65R060M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5e8542e0839
IMTA65R060M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+479.67 грн
10+310.94 грн
100+225.39 грн
500+199.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R060M2HXTMA1 Infineon_IMTA65R060M2H_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IMTA65R060M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R060M2HXTMA1 4265863.pdf
IMTA65R060M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMTA65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 650 V, 0.055 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 165W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R060M2HXTMA1 infineonimta65r060m2hdatasheetv0201en.pdf
IMTA65R060M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 5-Pin(4+Tab) LHSOF T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R060M2HXTMA1 4265863.pdf
IMTA65R060M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMTA65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 650 V, 0.055 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 165W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.