Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMTA65R075M2HXTMA1
IMTA65R075M2HXTMA1

IMTA65R075M2HXTMA1 Infineon Technologies

infineon-imta65r075m2h-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IMTA65R075M2HXTMA1
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+437.86 грн
10+282.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMTA65R075M2HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMTA65R075M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.095 ohm, LHSOF, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 141W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LHSOF, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC G2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm.

Інші пропозиції IMTA65R075M2HXTMA1 за ціною від 165.91 грн до 469.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMTA65R075M2HXTMA1 IMTA65R075M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon_imta65r075m2h_datasheet_en.pdf SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1972 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+469.46 грн
10+244.33 грн
100+210.96 грн
500+165.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R075M2HXTMA1 IMTA65R075M2HXTMA1 INFINEON 4609074.pdf Description: INFINEON - IMTA65R075M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.095 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 141W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R075M2HXTMA1 IMTA65R075M2HXTMA1 INFINEON 4609074.pdf Description: INFINEON - IMTA65R075M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.095 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R075M2HXTMA1 infineon_imta65r075m2h_datasheet_en.pdf
IMTA65R075M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1972 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+469.46 грн
10+244.33 грн
100+210.96 грн
500+165.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R075M2HXTMA1 4609074.pdf
IMTA65R075M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMTA65R075M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.095 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 141W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R075M2HXTMA1 4609074.pdf
IMTA65R075M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMTA65R075M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.095 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.