IMW120R014M1HXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 240+ | 1847.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMW120R014M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMW120R014M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 127 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 127A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 455W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IMW120R014M1HXKSA1 за ціною від 1171.49 грн до 2354.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMW120R014M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IMW120R014M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 127 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 127A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 455W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IMW120R014M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 127A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IMW120R014M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SIC DISCRETE Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 127A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.4mOhm @ 54.3A, 18V Power Dissipation (Max): 455W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 23.4mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +20V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4580 pF @ 800 V |
на замовлення 243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IMW120R014M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package |
на замовлення 206 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IMW120R014M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005425449 |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
IMW120R014M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 127A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| IMW120R014M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 89.3A; Idm: 267.9A; 227W Mounting: THT Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 89.3A On-state resistance: 27mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 227W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: CoolSiC™; SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -7...20V Pulsed drain current: 267.9A Case: TO247 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| IMW120R014M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 89.3A; Idm: 267.9A; 227W Mounting: THT Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 89.3A On-state resistance: 27mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 227W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: CoolSiC™; SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -7...20V Pulsed drain current: 267.9A Case: TO247 |
товару немає в наявності |