Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMW120R020M1HXKSA1
IMW120R020M1HXKSA1

IMW120R020M1HXKSA1 Infineon Technologies

Infineon-IMW120R020M1H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f8767f7bb318f
Виробник: Infineon Technologies
Description: SIC DISCRETE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3460 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 17.6mA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.9mOhm @ 41A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1527.91 грн
30+929.37 грн
120+810.77 грн
510+740.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMW120R020M1HXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMW120R020M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.019 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 98A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IMW120R020M1HXKSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMW120R020M1HXKSA1 IMW120R020M1HXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IMW120R020M1H_DataSheet_v01_30_EN.pdf SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R020M1HXKSA1 IMW120R020M1HXKSA1 INFINEON 3704046.pdf Description: INFINEON - IMW120R020M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.019 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R020M1HXKSA1 Infineon_IMW120R020M1H_DataSheet_v01_30_EN.pdf
IMW120R020M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R020M1HXKSA1 3704046.pdf
IMW120R020M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMW120R020M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.019 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.