Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IMW120R030M1HXKSA1

IMW120R030M1HXKSA1

Infineon-IMW120R030M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fde38b669a
Код товару: 164203
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IMW120R030M1HXKSA1 за ціною від 506.75 грн до 1133.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMW120R030M1HXKSA1 IMW120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies infineon-imw120r030m1h-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+735.79 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1 IMW120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies infineon-imw120r030m1h-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+797.89 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1 IMW120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies infineon-imw120r030m1h-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+921.05 грн
10+907.38 грн
25+797.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1 IMW120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies infineon-imw120r030m1h-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 14880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+1012.18 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1 IMW120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies infineon-imw120r030m1h-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+1031.43 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1 IMW120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IMW120R030M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fde38b669a Description: SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 800 V
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1132.27 грн
30+671.62 грн
120+579.96 грн
510+506.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1 IMW120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies infineon-imw120r030m1h-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1133.29 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1 IMW120R030M1HXKSA1 INFINEON 2830774.pdf Description: INFINEON - IMW120R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1 IMW120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies infineon-imw120r030m1h-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1 infineon-imw120r030m1h-datasheet-v02_02-en.pdf
IMW120R030M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
154+735.79 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1 infineon-imw120r030m1h-datasheet-v02_02-en.pdf
IMW120R030M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+797.89 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1 infineon-imw120r030m1h-datasheet-v02_02-en.pdf
IMW120R030M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+921.05 грн
10+907.38 грн
25+797.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1 infineon-imw120r030m1h-datasheet-v02_02-en.pdf
IMW120R030M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 14880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+1012.18 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1 infineon-imw120r030m1h-datasheet-v02_02-en.pdf
IMW120R030M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
35+1031.43 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1 Infineon-IMW120R030M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fde38b669a
IMW120R030M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 800 V
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1132.27 грн
30+671.62 грн
120+579.96 грн
510+506.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1 infineon-imw120r030m1h-datasheet-v02_02-en.pdf
IMW120R030M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+1133.29 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1 2830774.pdf
IMW120R030M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMW120R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R030M1HXKSA1 infineon-imw120r030m1h-datasheet-v02_02-en.pdf
IMW120R030M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.