IMW120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 154+ | 639.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMW120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMW120R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 227W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolSiC, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IMW120R030M1HXKSA1 за ціною від 599.94 грн до 984.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IMW120R030M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IMW120R030M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IMW120R030M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A Tube |
на замовлення 142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IMW120R030M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 14880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IMW120R030M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IMW120R030M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package |
на замовлення 754 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IMW120R030M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 18V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 800 V |
на замовлення 1049 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IMW120R030M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IMW120R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IMW120R030M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IMW120R030M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
|
IMW120R030M1HXKSA1 Код товару: 164203
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||
| IMW120R030M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IMW120R030M1HXKSA1 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |