IMW120R030M1HXKSA1

IMW120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies


infineon-imw120r030m1h-datasheet-v02_02-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A Tube
на замовлення 152 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+944.23 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMW120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMW120R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 227W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 227W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolSiC, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IMW120R030M1HXKSA1 за ціною від 965.79 грн до 1844.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IMW120R030M1HXKSA1 IMW120R030M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IMW120R030M1H_DataSheet_v02_02_EN-3362073.pdf MOSFET SIC DISCRETE
на замовлення 1378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1454.44 грн
10+ 1345.67 грн
25+ 1165.53 грн
50+ 1156.29 грн
100+ 1037.56 грн
240+ 1036.25 грн
480+ 970.28 грн
IMW120R030M1HXKSA1 IMW120R030M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imw120r030m1h-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+1486.13 грн
9+ 1267.09 грн
10+ 1137.43 грн
20+ 1062.6 грн
50+ 1037.4 грн
100+ 1015.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
IMW120R030M1HXKSA1 IMW120R030M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMW120R030M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fde38b669a Description: SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 800 V
на замовлення 1696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1611.13 грн
10+ 1378.86 грн
100+ 1206.01 грн
500+ 965.79 грн
IMW120R030M1HXKSA1 IMW120R030M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imw120r030m1h-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1659.69 грн
10+ 1569.25 грн
100+ 1378.98 грн
IMW120R030M1HXKSA1 IMW120R030M1HXKSA1 Виробник : INFINEON 2830774.pdf Description: INFINEON - IMW120R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 227W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1844.68 грн
5+ 1772.91 грн
10+ 1701.14 грн
50+ 1464.88 грн
100+ 1245.65 грн
250+ 1141 грн
IMW120R030M1HXKSA1
Код товару: 164203
Infineon-IMW120R030M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fde38b669a Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IMW120R030M1HXKSA1 IMW120R030M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imw120r030m1h-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IMW120R030M1HXKSA1 IMW120R030M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imw120r030m1h-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IMW120R030M1HXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMW120R030M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fde38b669a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 150A; 114W
Kind of package: tube
Mounting: THT
Drain current: 45A
On-state resistance: 57mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -7...23V
Pulsed drain current: 150A
Case: TO247
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMW120R030M1HXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMW120R030M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fde38b669a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 150A; 114W
Kind of package: tube
Mounting: THT
Drain current: 45A
On-state resistance: 57mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -7...23V
Pulsed drain current: 150A
Case: TO247
Drain-source voltage: 1.2kV
товар відсутній