Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMW120R040M1HXKSA1
IMW120R040M1HXKSA1

IMW120R040M1HXKSA1 Infineon Technologies

infineon-imw120r040m1h-datasheet-v01_30-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+685.12 грн
10+668.73 грн
25+638.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMW120R040M1HXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMW120R040M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.039 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 227W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IMW120R040M1HXKSA1 за ціною від 465.04 грн до 945.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMW120R040M1HXKSA1 IMW120R040M1HXKSA1 Infineon Technologies infineon-imw120r040m1h-datasheet-v01_30-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+685.12 грн
22+668.73 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R040M1HXKSA1 IMW120R040M1HXKSA1 Infineon Technologies infineon-imw120r040m1h-datasheet-v01_30-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+787.93 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R040M1HXKSA1 IMW120R040M1HXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IMW120R040M1H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f8783c06631ca Description: SIC DISCRETE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54.4mOhm @ 19.3A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+930.60 грн
30+542.55 грн
120+465.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R040M1HXKSA1 IMW120R040M1HXKSA1 Infineon Technologies infineon-imw120r040m1h-datasheet-v01_30-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+945.97 грн
50+907.67 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R040M1HXKSA1 IMW120R040M1HXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IMW120R040M1H_DataSheet_v01_30_EN-3362421.pdf SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R040M1HXKSA1 infineon-imw120r040m1h-datasheet-v01_30-en.pdf
IMW120R040M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+685.12 грн
22+668.73 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R040M1HXKSA1 infineon-imw120r040m1h-datasheet-v01_30-en.pdf
IMW120R040M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+787.93 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R040M1HXKSA1 Infineon-IMW120R040M1H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f8783c06631ca
IMW120R040M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SIC DISCRETE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54.4mOhm @ 19.3A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+930.60 грн
30+542.55 грн
120+465.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R040M1HXKSA1 infineon-imw120r040m1h-datasheet-v01_30-en.pdf
IMW120R040M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+945.97 грн
50+907.67 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R040M1HXKSA1 Infineon_IMW120R040M1H_DataSheet_v01_30_EN-3362421.pdf
IMW120R040M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.