IMW120R045M1XKSA1

IMW120R045M1XKSA1 Infineon Technologies


infineon-imw120r045m1-datasheet-v02_06-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 570 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+540.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMW120R045M1XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMW120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 228W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolSiC, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IMW120R045M1XKSA1 за ціною від 505.07 грн до 1159.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IMW120R045M1XKSA1 IMW120R045M1XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imw120r045m1-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+582.15 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1 IMW120R045M1XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imw120r045m1-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A Tube
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+696.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1 IMW120R045M1XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMW120R045M1-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d46269bda8df0169de34fd2f3a3b Description: SICFET N-CH 1.2KV 52A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 228W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 800 V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+799.79 грн
30+576.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1 IMW120R045M1XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IMW120R045M1_DataSheet_v02_06_EN-3362074.pdf SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+820.53 грн
10+747.89 грн
25+539.25 грн
50+536.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1 IMW120R045M1XKSA1 Виробник : INFINEON 2820326.pdf Description: INFINEON - IMW120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 228W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+832.71 грн
5+726.25 грн
10+619.79 грн
50+566.32 грн
100+513.56 грн
250+505.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1 IMW120R045M1XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imw120r045m1-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+1159.10 грн
200+1047.25 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1
Код товару: 172225
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-IMW120R045M1-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d46269bda8df0169de34fd2f3a3b Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMW120R045M1-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d46269bda8df0169de34fd2f3a3b IMW120R045M1XKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.