Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IMW120R045M1XKSA1

IMW120R045M1XKSA1

Infineon-IMW120R045M1-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d46269bda8df0169de34fd2f3a3b
Код товару: 172225
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IMW120R045M1XKSA1 за ціною від 283.41 грн до 974.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMW120R045M1XKSA1 IMW120R045M1XKSA1 Infineon Technologies infineonimw120r045m1datasheetv0206en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+711.03 грн
3+295.87 грн
10+295.78 грн
25+283.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1 IMW120R045M1XKSA1 Infineon Technologies infineonimw120r045m1datasheetv0206en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+711.03 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1 IMW120R045M1XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IMW120R045M1-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d46269bda8df0169de34fd2f3a3b Description: SICFET N-CH 1.2KV 52A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 228W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 800 V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+773.58 грн
30+557.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1 IMW120R045M1XKSA1 Infineon Technologies infineonimw120r045m1datasheetv0206en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+939.12 грн
10+929.59 грн
25+749.23 грн
50+721.53 грн
100+629.97 грн
240+578.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1 IMW120R045M1XKSA1 Infineon Technologies infineonimw120r045m1datasheetv0206en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+974.48 грн
25+785.43 грн
100+703.46 грн
240+657.92 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1 IMW120R045M1XKSA1 INFINEON 2820326.pdf Description: INFINEON - IMW120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 228W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1 IMW120R045M1XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IMW120R045M1-DataSheet-v02_06-EN.pdf SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1 infineonimw120r045m1datasheetv0206en.pdf
IMW120R045M1XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+711.03 грн
3+295.87 грн
10+295.78 грн
25+283.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1 infineonimw120r045m1datasheetv0206en.pdf
IMW120R045M1XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+711.03 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1 Infineon-IMW120R045M1-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d46269bda8df0169de34fd2f3a3b
IMW120R045M1XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1.2KV 52A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 228W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 800 V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+773.58 грн
30+557.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1 infineonimw120r045m1datasheetv0206en.pdf
IMW120R045M1XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+939.12 грн
10+929.59 грн
25+749.23 грн
50+721.53 грн
100+629.97 грн
240+578.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1 infineonimw120r045m1datasheetv0206en.pdf
IMW120R045M1XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+974.48 грн
25+785.43 грн
100+703.46 грн
240+657.92 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1 2820326.pdf
IMW120R045M1XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMW120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 228W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R045M1XKSA1 Infineon-IMW120R045M1-DataSheet-v02_06-EN.pdf
IMW120R045M1XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.