IMW120R060M1HXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 700.85 грн |
| 10+ | 630.24 грн |
| 25+ | 420.06 грн |
| 100+ | 372.63 грн |
| 240+ | 370.37 грн |
| 480+ | 357.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMW120R060M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMW120R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247, tariffCode: 85411000, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolSiC, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IMW120R060M1HXKSA1 за ціною від 326.44 грн до 753.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMW120R060M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IMW120R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247tariffCode: 85411000 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IMW120R060M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5.6mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 800 V |
на замовлення 867 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IMW120R060M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP001808368 |
на замовлення 392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IMW120R060M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IMW120R060M1HXKSA1 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |