IMW120R090M1HXKSA1

IMW120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies


infineon-imw120r090m1h-datasheet-v02_02-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 215 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+340.77 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMW120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMW120R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247, tariffCode: 85411000, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 115W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolSiC, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IMW120R090M1HXKSA1 за ціною від 271.07 грн до 596.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IMW120R090M1HXKSA1 IMW120R090M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imw120r090m1h-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+383.37 грн
10+382.84 грн
25+365.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HXKSA1 IMW120R090M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imw120r090m1h-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+515.29 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HXKSA1 IMW120R090M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imw120r090m1h-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+520.15 грн
36+354.00 грн
50+337.95 грн
100+303.08 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HXKSA1 IMW120R090M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMW120R090M1H-DataSheet-v02_02-EN.pdf SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+538.53 грн
10+342.02 грн
480+271.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HXKSA1 IMW120R090M1HXKSA1 Виробник : INFINEON 2830776.pdf Description: INFINEON - IMW120R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+553.44 грн
5+533.46 грн
10+512.61 грн
50+336.42 грн
100+300.12 грн
250+299.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HXKSA1 IMW120R090M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imw120r090m1h-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+563.11 грн
10+559.59 грн
25+380.84 грн
50+363.58 грн
100+326.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HXKSA1 IMW120R090M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMW120R090M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fd64376684 Description: SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 8.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 707 pF @ 800 V
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+596.51 грн
30+335.00 грн
120+282.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imw120r090m1h-datasheet-v02_02-en.pdf 1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+402.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HXKSA1
Код товару: 182112
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-IMW120R090M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fd64376684 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R090M1HXKSA1 IMW120R090M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imw120r090m1h-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.