Інші пропозиції IMW120R090M1HXKSA1 за ціною від 286.00 грн до 618.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMW120R090M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IMW120R090M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IMW120R090M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IMW120R090M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IMW120R090M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IMW120R090M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 8.5A, 18V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.7mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 707 pF @ 800 V |
на замовлення 121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IMW120R090M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IMW120R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247 tariffCode: 85411000 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IMW120R090M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| IMW120R090M1HXKSA1 | Виробник : Eupec |
COOLSIC MOSFETS 1200V Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
IMW120R090M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package |
товару немає в наявності |