IMW120R220M1HXKSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IMW120R220M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 449.26 грн |
| 10+ | 442.51 грн |
| 100+ | 226.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMW120R220M1HXKSA1 INFINEON
Description: INFINEON - IMW120R220M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-247, tariffCode: 85411000, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolSiC, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IMW120R220M1HXKSA1 за ціною від 174.95 грн до 727.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMW120R220M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 286mOhm @ 4A, 18V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 289 pF @ 800 V |
на замовлення 787 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IMW120R220M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
N-Channel SiC Trench MOSFET 1200V 13A TO-247-3 |
на замовлення 1920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IMW120R220M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET SIC DISCRETE |
на замовлення 530 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IMW120R220M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
IMW120R220M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
N-Channel SiC Trench MOSFET 1200V 13A TO-247-3 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IMW120R220M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
N-Channel SiC Trench MOSFET 1200V 13A TO-247-3 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IMW120R220M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IMW120R220M1HXKSA1 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |