Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMW120R220M1HXKSA1
IMW120R220M1HXKSA1

IMW120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies

Infineon_IMW120R220M1H_DataSheet_v02_02_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
на замовлення 190 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+401.01 грн
10+245.58 грн
100+181.37 грн
480+168.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMW120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMW120R220M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-247, tariffCode: 85411000, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 75W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolSiC, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm.

Інші пропозиції IMW120R220M1HXKSA1 за ціною від 154.65 грн до 566.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMW120R220M1HXKSA1 IMW120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IMW120R220M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fe078366a0 Description: SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 286mOhm @ 4A, 18V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 289 pF @ 800 V
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+416.51 грн
30+228.52 грн
120+190.66 грн
510+154.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R220M1HXKSA1 IMW120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies infineon-imw120r220m1h-datasheet-v02_02-en.pdf N-Channel SiC Trench MOSFET 1200V 13A TO-247-3
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+566.44 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R220M1HXKSA1 IMW120R220M1HXKSA1 INFINEON 2830778.pdf Description: INFINEON - IMW120R220M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R220M1HXKSA1 Infineon-IMW120R220M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fe078366a0
IMW120R220M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 286mOhm @ 4A, 18V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 289 pF @ 800 V
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+416.51 грн
30+228.52 грн
120+190.66 грн
510+154.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R220M1HXKSA1 infineon-imw120r220m1h-datasheet-v02_02-en.pdf
IMW120R220M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
N-Channel SiC Trench MOSFET 1200V 13A TO-247-3
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+566.44 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R220M1HXKSA1 2830778.pdf
IMW120R220M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMW120R220M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.