Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMW120R220M1HXKSA1
IMW120R220M1HXKSA1

IMW120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies

Infineon_IMW120R220M1H_DataSheet_v02_02_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+386.48 грн
10+236.68 грн
100+174.80 грн
480+162.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMW120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMW120R220M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-247, tariffCode: 85411000, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolSiC, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IMW120R220M1HXKSA1 за ціною від 158.98 грн до 428.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IMW120R220M1HXKSA1 IMW120R220M1HXKSA1 INFINEON 2830778.pdf Description: INFINEON - IMW120R220M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+416.90 грн
10+259.02 грн
100+222.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R220M1HXKSA1 IMW120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IMW120R220M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fe078366a0 Description: SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 286mOhm @ 4A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 289 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+428.18 грн
30+234.92 грн
120+196.01 грн
510+158.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R220M1HXKSA1 2830778.pdf
IMW120R220M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMW120R220M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+416.90 грн
10+259.02 грн
100+222.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R220M1HXKSA1 Infineon-IMW120R220M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fe078366a0
IMW120R220M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 286mOhm @ 4A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 289 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+428.18 грн
30+234.92 грн
120+196.01 грн
510+158.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.