Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMW120R350M1HXKSA1
IMW120R350M1HXKSA1

IMW120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies

infineon-imw120r350m1h-datasheet-v02_02-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+279.99 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMW120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMW120R350M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolSiC, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IMW120R350M1HXKSA1 за ціною від 132.48 грн до 409.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMW120R350M1HXKSA1 IMW120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies infineon-imw120r350m1h-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+284.49 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R350M1HXKSA1 IMW120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IMW120R350M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fe1a0a66a3 Description: SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 2A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 18 V
на замовлення 1143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+370.24 грн
30+201.59 грн
120+167.46 грн
510+133.66 грн
1020+132.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R350M1HXKSA1 IMW120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies infineon-imw120r350m1h-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+409.22 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R350M1HXKSA1 IMW120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IMW120R350M1H_DataSheet_v02_02_EN.pdf SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
на замовлення 657 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R350M1HXKSA1 IMW120R350M1HXKSA1 INFINEON 2830779.pdf Description: INFINEON - IMW120R350M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R350M1HXKSA1 infineon-imw120r350m1h-datasheet-v02_02-en.pdf
IMW120R350M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
124+284.49 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R350M1HXKSA1 Infineon-IMW120R350M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fe1a0a66a3
IMW120R350M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 2A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 18 V
на замовлення 1143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+370.24 грн
30+201.59 грн
120+167.46 грн
510+133.66 грн
1020+132.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R350M1HXKSA1 infineon-imw120r350m1h-datasheet-v02_02-en.pdf
IMW120R350M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
35+409.22 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R350M1HXKSA1 Infineon_IMW120R350M1H_DataSheet_v02_02_EN.pdf
IMW120R350M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
на замовлення 657 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R350M1HXKSA1 2830779.pdf
IMW120R350M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMW120R350M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.