IMW40R025M2HXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 682.48 грн |
| 10+ | 509.96 грн |
| 100+ | 370.23 грн |
| 480+ | 329.10 грн |
| 1200+ | 293.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMW40R025M2HXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMW40R025M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 400 V, 0.0321 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 195W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolSiC G2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IMW40R025M2HXKSA1 за ціною від 352.10 грн до 785.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMW40R025M2HXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IMW40R025M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 400 V, 0.0321 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 195W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|