IMW40R025M2HXKSA1 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMW40R025M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 400 V, 0.0321 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMW40R025M2HXKSA1 INFINEON
Description: INFINEON - IMW40R025M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 400 V, 0.0321 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 195W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolSiC G2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IMW40R025M2HXKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IMW40R025M2HXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET |
на замовлення 386 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IMW40R025M2HXKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)