IMW65R007M2HXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 1916.37 грн |
| 10+ | 1765.08 грн |
| 25+ | 1724.41 грн |
| 100+ | 1625.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMW65R007M2HXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMW65R007M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 171 A, 650 V, 0.0085 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 171A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IMW65R007M2HXKSA1 за ціною від 1265.66 грн до 2296.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMW65R007M2HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: SILICON CARBIDE MOSFETPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 146.3A, 20V Power Dissipation (Max): 625W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 29.7mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V |
на замовлення 156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IMW65R007M2HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IMW65R007M2HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IMW65R007M2HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET |
на замовлення 1943 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IMW65R007M2HXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IMW65R007M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 171 A, 650 V, 0.0085 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 171A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 625W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| IMW65R007M2HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IMW65R007M2HXKSA1 |
товару немає в наявності |
||||||||||||
|
|
IMW65R007M2HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |