Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMW65R007M2HXKSA1
IMW65R007M2HXKSA1

IMW65R007M2HXKSA1 Infineon Technologies

IMW65R007M2H.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 146.3A, 20V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 29.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1805.79 грн
30+1127.67 грн
120+1115.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMW65R007M2HXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMW65R007M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 171 A, 650 V, 0.0085 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 171A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IMW65R007M2HXKSA1 за ціною від 1871.33 грн до 2442.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMW65R007M2HXKSA1 IMW65R007M2HXKSA1 Infineon Technologies infineonimw65r007m2hdatasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2206.63 грн
10+2032.42 грн
25+1985.59 грн
100+1871.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R007M2HXKSA1 IMW65R007M2HXKSA1 Infineon Technologies infineonimw65r007m2hdatasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2206.63 грн
10+2032.42 грн
25+1985.59 грн
100+1871.33 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R007M2HXKSA1 IMW65R007M2HXKSA1 Infineon Technologies infineonimw65r007m2hdatasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+2442.26 грн
1440+2291.06 грн
2160+2174.10 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R007M2HXKSA1 IMW65R007M2HXKSA1 Infineon Technologies Infineon_DS_IMW65R007M2H_2_1.pdf MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R007M2HXKSA1 IMW65R007M2HXKSA1 INFINEON 4406524.pdf Description: INFINEON - IMW65R007M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 171 A, 650 V, 0.0085 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 171A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R007M2HXKSA1 infineonimw65r007m2hdatasheetv0100en.pdf
IMW65R007M2HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2206.63 грн
10+2032.42 грн
25+1985.59 грн
100+1871.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R007M2HXKSA1 infineonimw65r007m2hdatasheetv0100en.pdf
IMW65R007M2HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+2206.63 грн
10+2032.42 грн
25+1985.59 грн
100+1871.33 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R007M2HXKSA1 infineonimw65r007m2hdatasheetv0100en.pdf
IMW65R007M2HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+2442.26 грн
1440+2291.06 грн
2160+2174.10 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R007M2HXKSA1 Infineon_DS_IMW65R007M2H_2_1.pdf
IMW65R007M2HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R007M2HXKSA1 4406524.pdf
IMW65R007M2HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMW65R007M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 171 A, 650 V, 0.0085 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 171A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.