IMW65R010M2HXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1633.34 грн |
| 10+ | 1430.64 грн |
| 100+ | 1088.07 грн |
| 240+ | 1015.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMW65R010M2HXKSA1 Infineon Technologies
Description: IMW65R010M2HXKSA1, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 92.1A, 20V, Power Dissipation (Max): 440W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.7mA, Supplier Device Package: PG-TO247-3-40, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V, Vgs (Max): +23V, -7V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4001 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IMW65R010M2HXKSA1 за ціною від 1132.27 грн до 1720.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMW65R010M2HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: IMW65R010M2HXKSA1Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 92.1A, 20V Power Dissipation (Max): 440W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.7mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-40 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4001 pF @ 400 V |
на замовлення 352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|