Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMW65R010M2HXKSA1
IMW65R010M2HXKSA1

IMW65R010M2HXKSA1 Infineon Technologies

IMW65R010M2HXKSA1.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IMW65R010M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 92.1A, 20V
Power Dissipation (Max): 440W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4001 pF @ 400 V
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1720.35 грн
30+1058.14 грн
60+987.05 грн
120+870.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMW65R010M2HXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMW65R010M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 130 A, 650 V, 0.0131 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 440W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolSiC G2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm.

Інші пропозиції IMW65R010M2HXKSA1 за ціною від 1213.42 грн до 1911.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMW65R010M2HXKSA1 IMW65R010M2HXKSA1 Infineon Technologies IMW65R010M2HXKSA1.pdf SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
на замовлення 221 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1911.64 грн
10+1213.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R010M2HXKSA1 IMW65R010M2HXKSA1 INFINEON 4421059.pdf Description: INFINEON - IMW65R010M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 130 A, 650 V, 0.0131 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 440W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R010M2HXKSA1 IMW65R010M2HXKSA1.pdf
IMW65R010M2HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
на замовлення 221 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1911.64 грн
10+1213.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R010M2HXKSA1 4421059.pdf
IMW65R010M2HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMW65R010M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 130 A, 650 V, 0.0131 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 440W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.