Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMW65R015M2HXKSA1
IMW65R015M2HXKSA1

IMW65R015M2HXKSA1 Infineon Technologies

infineon-imw65r015m2h-datasheet-v01_00-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+915.99 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMW65R015M2HXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMW65R015M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 93 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 93A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 341W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IMW65R015M2HXKSA1 за ціною від 576.74 грн до 1253.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMW65R015M2HXKSA1 IMW65R015M2HXKSA1 Infineon Technologies infineon-imw65r015m2h-datasheet-en.pdf Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 64.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2792 pF @ 400 V
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1080.70 грн
30+643.65 грн
120+576.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R015M2HXKSA1 IMW65R015M2HXKSA1 Infineon Technologies infineon-imw65r015m2h-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1205.12 грн
10+1179.55 грн
25+970.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R015M2HXKSA1 IMW65R015M2HXKSA1 Infineon Technologies infineon-imw65r015m2h-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1236.31 грн
50+1226.95 грн
200+1038.62 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R015M2HXKSA1 IMW65R015M2HXKSA1 Infineon Technologies infineon-imw65r015m2h-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 7440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+1253.42 грн
3840+1167.92 грн
5760+1103.13 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R015M2HXKSA1 IMW65R015M2HXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IMW65R015M2H_DataSheet_v01_00_EN.pdf SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R015M2HXKSA1 IMW65R015M2HXKSA1 INFINEON 4159867.pdf Description: INFINEON - IMW65R015M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 93 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R015M2HXKSA1 infineon-imw65r015m2h-datasheet-en.pdf
IMW65R015M2HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 64.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2792 pF @ 400 V
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1080.70 грн
30+643.65 грн
120+576.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R015M2HXKSA1 infineon-imw65r015m2h-datasheet-v01_00-en.pdf
IMW65R015M2HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1205.12 грн
10+1179.55 грн
25+970.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R015M2HXKSA1 infineon-imw65r015m2h-datasheet-v01_00-en.pdf
IMW65R015M2HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+1236.31 грн
50+1226.95 грн
200+1038.62 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R015M2HXKSA1 infineon-imw65r015m2h-datasheet-v01_00-en.pdf
IMW65R015M2HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 7440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+1253.42 грн
3840+1167.92 грн
5760+1103.13 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R015M2HXKSA1 Infineon_IMW65R015M2H_DataSheet_v01_00_EN.pdf
IMW65R015M2HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R015M2HXKSA1 4159867.pdf
IMW65R015M2HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMW65R015M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 93 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.