Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMW65R020M2HXKSA1
IMW65R020M2HXKSA1

IMW65R020M2HXKSA1 Infineon Technologies

infineon-imw65r020m2h-datasheet-v01_00-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+833.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMW65R020M2HXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMW65R020M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 83 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 83A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 273W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IMW65R020M2HXKSA1 за ціною від 466.21 грн до 1292.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMW65R020M2HXKSA1 IMW65R020M2HXKSA1 Infineon Technologies infineon-imw65r020m2h-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+833.20 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R020M2HXKSA1 IMW65R020M2HXKSA1 Infineon Technologies infineon-imw65r020m2h-datasheet-en.pdf Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 46.9A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+916.75 грн
30+538.37 грн
120+466.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R020M2HXKSA1 IMW65R020M2HXKSA1 Infineon Technologies infineon-imw65r020m2h-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+1018.73 грн
3360+949.23 грн
5040+896.58 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R020M2HXKSA1 IMW65R020M2HXKSA1 Infineon Technologies infineon-imw65r020m2h-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1292.51 грн
15+1002.16 грн
100+992.80 грн
200+851.67 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R020M2HXKSA1 IMW65R020M2HXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IMW65R020M2H_DataSheet_v01_00_EN.pdf SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R020M2HXKSA1 IMW65R020M2HXKSA1 INFINEON 4159868.pdf Description: INFINEON - IMW65R020M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 83 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R020M2HXKSA1 infineon-imw65r020m2h-datasheet-v01_00-en.pdf
IMW65R020M2HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+833.20 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R020M2HXKSA1 infineon-imw65r020m2h-datasheet-en.pdf
IMW65R020M2HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 46.9A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+916.75 грн
30+538.37 грн
120+466.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R020M2HXKSA1 infineon-imw65r020m2h-datasheet-v01_00-en.pdf
IMW65R020M2HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+1018.73 грн
3360+949.23 грн
5040+896.58 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R020M2HXKSA1 infineon-imw65r020m2h-datasheet-v01_00-en.pdf
IMW65R020M2HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+1292.51 грн
15+1002.16 грн
100+992.80 грн
200+851.67 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R020M2HXKSA1 Infineon_IMW65R020M2H_DataSheet_v01_00_EN.pdf
IMW65R020M2HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R020M2HXKSA1 4159868.pdf
IMW65R020M2HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMW65R020M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 83 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.