Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMW65R020M2HXKSA1
IMW65R020M2HXKSA1

IMW65R020M2HXKSA1 Infineon Technologies

Infineon-IMW65R020M2H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018dd63be00852ee Виробник: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 46.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1138.80 грн
30+685.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMW65R020M2HXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMW65R020M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 83 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 83A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 273W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IMW65R020M2HXKSA1 за ціною від 601.79 грн до 1540.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IMW65R020M2HXKSA1 IMW65R020M2HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IMW65R020M2H_DataSheet_v01_00_EN-3421113.pdf SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1149.26 грн
10+1009.32 грн
25+655.49 грн
240+654.76 грн
480+601.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R020M2HXKSA1 IMW65R020M2HXKSA1 Виробник : INFINEON 4159868.pdf Description: INFINEON - IMW65R020M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 83 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1540.81 грн
5+1431.04 грн
10+1321.28 грн
50+1157.93 грн
100+974.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R020M2HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imw65r020m2h-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 83A
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1419.28 грн
10+1321.13 грн
25+1269.02 грн
50+1176.79 грн
100+1050.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R020M2HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imw65r020m2h-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 83A
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+1528.46 грн
10+1422.76 грн
25+1366.63 грн
50+1267.31 грн
100+1131.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R020M2HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imw65r020m2h-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 83A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R020M2HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imw65r020m2h-datasheet-v01_00-en.pdf IMW65R020M2HXKSA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.