Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IMW65R027M1HXKSA1

IMW65R027M1HXKSA1

Infineon-IMW65R027M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85ab88170463
Код товару: 193216
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IMW65R027M1HXKSA1 за ціною від 555.06 грн до 1235.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMW65R027M1HXKSA1 IMW65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies infineonimw65r027m1hdatasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 298800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+907.74 грн
149280+845.82 грн
223920+798.89 грн
298560+735.25 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1 IMW65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IMW65R027M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85ab88170463 Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 38.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 11mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2131 pF @ 400 V
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1106.10 грн
30+646.74 грн
120+555.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1 IMW65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies infineonimw65r027m1hdatasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1180.12 грн
13+1161.38 грн
200+1067.72 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1 IMW65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies infineonimw65r027m1hdatasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1199.56 грн
25+743.96 грн
50+710.14 грн
100+578.10 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1 IMW65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies infineonimw65r027m1hdatasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1235.42 грн
10+1212.83 грн
25+752.19 грн
50+718.00 грн
100+584.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1 IMW65R027M1HXKSA1 INFINEON 3049632.pdf Description: INFINEON - IMW65R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 189W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1 IMW65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IMW65R027M1H-DataSheet-v02_03-EN.pdf SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1 infineonimw65r027m1hdatasheetv0203en.pdf
IMW65R027M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 298800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+907.74 грн
149280+845.82 грн
223920+798.89 грн
298560+735.25 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1 Infineon-IMW65R027M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85ab88170463
IMW65R027M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 38.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 11mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2131 pF @ 400 V
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1106.10 грн
30+646.74 грн
120+555.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1 infineonimw65r027m1hdatasheetv0203en.pdf
IMW65R027M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+1180.12 грн
13+1161.38 грн
200+1067.72 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1 infineonimw65r027m1hdatasheetv0203en.pdf
IMW65R027M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+1199.56 грн
25+743.96 грн
50+710.14 грн
100+578.10 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1 infineonimw65r027m1hdatasheetv0203en.pdf
IMW65R027M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1235.42 грн
10+1212.83 грн
25+752.19 грн
50+718.00 грн
100+584.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1 3049632.pdf
IMW65R027M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMW65R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 189W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1 Infineon-IMW65R027M1H-DataSheet-v02_03-EN.pdf
IMW65R027M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.