IMW65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 38.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 11mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2131 pF @ 400 V
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 940.68 грн |
| 30+ | 544.27 грн |
| 120+ | 471.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMW65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMW65R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 47 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 189W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolSiC M1, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IMW65R027M1HXKSA1 за ціною від 482.52 грн до 1926.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMW65R027M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET |
на замовлення 535 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IMW65R027M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IMW65R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 47 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 189W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IMW65R027M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMW65R027M1HXKSA1 Код товару: 193216
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
 |
IMW65R027M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IMW65R027M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IMW65R027M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| IMW65R027M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IMW65R027M1HXKSA1 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |