IMW65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 298800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 240+ | 824.43 грн |
| 149280+ | 768.19 грн |
| 223920+ | 725.57 грн |
| 298560+ | 667.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMW65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMW65R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 189W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolSiC M1, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IMW65R027M1HXKSA1 за ціною від 428.47 грн до 1202.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMW65R027M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCHPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 38.3A, 18V Power Dissipation (Max): 189W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 11mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2131 pF @ 400 V |
на замовлення 1016 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IMW65R027M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET |
на замовлення 935 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IMW65R027M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IMW65R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 189W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IMW65R027M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IMW65R027M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IMW65R027M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IMW65R027M1HXKSA1 Код товару: 193216
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
 |
IMW65R027M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IMW65R027M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IMW65R027M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |