IMW65R027M1HXKSA1

IMW65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies


infineonimw65r027m1hdatasheetv0203en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 298800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
240+782.64 грн
149280+729.25 грн
223920+688.79 грн
298560+633.92 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMW65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMW65R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 189W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolSiC M1, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IMW65R027M1HXKSA1 за ціною від 455.95 грн до 1141.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IMW65R027M1HXKSA1 IMW65R027M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMW65R027M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85ab88170463 Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 38.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 11mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2131 pF @ 400 V
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+931.64 грн
30+539.04 грн
120+466.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1 IMW65R027M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IMW65R027M1H_DataSheet_v02_00_EN-1840555.pdf SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+970.38 грн
10+585.22 грн
100+455.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1 IMW65R027M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonimw65r027m1hdatasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+1017.48 грн
13+1001.32 грн
200+920.57 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1 IMW65R027M1HXKSA1 Виробник : INFINEON 3049632.pdf Description: INFINEON - IMW65R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 189W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1028.06 грн
5+993.28 грн
10+958.51 грн
50+629.33 грн
100+502.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1 IMW65R027M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonimw65r027m1hdatasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+1034.24 грн
25+641.43 грн
50+612.27 грн
100+498.43 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1 IMW65R027M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonimw65r027m1hdatasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1141.24 грн
10+1120.37 грн
25+694.85 грн
50+663.26 грн
100+539.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1
Код товару: 193216
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-IMW65R027M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85ab88170463 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1 IMW65R027M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imw65r027m1h-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1 IMW65R027M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonimw65r027m1hdatasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1 IMW65R027M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonimw65r027m1hdatasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMW65R027M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85ab88170463 IMW65R027M1HXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.