IMW65R030M1HXKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 29.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 8.8mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1643 pF @ 400 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 762.80 грн |
| 30+ | 441.87 грн |
| 120+ | 377.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMW65R030M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMW65R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 58A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 197W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IMW65R030M1HXKSA1 за ціною від 735.32 грн до 1058.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMW65R030M1HXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 3360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
IMW65R030M1HXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 646 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
IMW65R030M1HXKSA1 | Infineon Technologies |
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET |
на замовлення 241 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
IMW65R030M1HXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMW65R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247 tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 197W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IMW65R030M1HXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 240+ | 835.50 грн |
| 1920+ | 778.51 грн |
| 2880+ | 735.32 грн |
| IMW65R030M1HXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 1058.36 грн |
| 200+ | 974.06 грн |
| IMW65R030M1HXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IMW65R030M1HXKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMW65R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMW65R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)