IMW65R033M2HXKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IMW65R033M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 27.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1214 pF @ 400 V
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 836.78 грн |
| 30+ | 567.20 грн |
| 120+ | 507.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMW65R033M2HXKSA1 Infineon Technologies
Description: IMW65R033M2HXKSA1, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 27.9A, 20V, Power Dissipation (Max): 194W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.7mA, Supplier Device Package: PG-TO247-3-40, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V, Vgs (Max): +23V, -7V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1214 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IMW65R033M2HXKSA1 за ціною від 478.21 грн до 893.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMW65R033M2HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2 |
на замовлення 370 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|