IMW65R048M1HXKSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IMW65R048M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 530.76 грн |
| 5+ | 520.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMW65R048M1HXKSA1 INFINEON
Description: INFINEON - IMW65R048M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolSiC M1, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IMW65R048M1HXKSA1 за ціною від 291.50 грн до 825.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMW65R048M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20.1A, 18V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 6mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 400 V |
на замовлення 907 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IMW65R048M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET |
на замовлення 225 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IMW65R048M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IMW65R048M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IMW65R048M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| IMW65R048M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IMW65R048M1HXKSA1 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |