IMW65R050M2HXKSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 414.99 грн |
| 10+ | 400.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMW65R050M2HXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMW65R050M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 38A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 153W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm.
Інші пропозиції IMW65R050M2HXKSA1 за ціною від 309.36 грн до 739.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IMW65R050M2HXKSA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IMW65R050M2HXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 10320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IMW65R050M2HXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 18.2A, 20V Power Dissipation (Max): 153W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.7mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-40 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 400 V |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IMW65R050M2HXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IMW65R050M2HXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IMW65R050M2HXKSA1 | Infineon Technologies |
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET |
на замовлення 914 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
IMW65R050M2HXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMW65R050M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 153W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm |
на замовлення 231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IMW65R050M2HXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 35+ | 414.99 грн |
| IMW65R050M2HXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 240+ | 450.83 грн |
| IMW65R050M2HXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 18.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 400 V
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 18.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 400 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 688.40 грн |
| 30+ | 389.73 грн |
| 60+ | 357.08 грн |
| 120+ | 309.36 грн |
| IMW65R050M2HXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 739.27 грн |
| 10+ | 501.47 грн |
| 100+ | 437.42 грн |
| IMW65R050M2HXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 739.27 грн |
| 29+ | 501.47 грн |
| 100+ | 437.42 грн |
| IMW65R050M2HXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IMW65R050M2HXKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMW65R050M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 153W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
Description: INFINEON - IMW65R050M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 153W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)