IMW65R060M2HXKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IMW65R060M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.4A, 20V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 669 pF @ 400 V
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 523.64 грн |
| 30+ | 359.00 грн |
| 120+ | 331.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMW65R060M2HXKSA1 Infineon Technologies
Description: IMW65R060M2HXKSA1, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.4A, 20V, Power Dissipation (Max): 130W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.1mA, Supplier Device Package: PG-TO247-3-40, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V, Vgs (Max): +23V, -7V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 669 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IMW65R060M2HXKSA1 за ціною від 246.45 грн до 533.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMW65R060M2HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2 |
на замовлення 379 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|