Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMW65R060M2HXKSA1
IMW65R060M2HXKSA1

IMW65R060M2HXKSA1 Infineon Technologies

infineonimw65r060m2hdatasheetv0100en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 32.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+372.37 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 39 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMW65R060M2HXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMW65R060M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 32.8 A, 650 V, 0.073 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 130W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolSiC G2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm.

Інші пропозиції IMW65R060M2HXKSA1 за ціною від 264.61 грн до 595.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMW65R060M2HXKSA1 IMW65R060M2HXKSA1 Infineon Technologies infineonimw65r060m2hdatasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 32.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+376.17 грн
30+372.37 грн
60+359.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R060M2HXKSA1 IMW65R060M2HXKSA1 Infineon Technologies infineonimw65r060m2hdatasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 32.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 7920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+527.26 грн
3840+484.13 грн
5760+452.83 грн
7680+414.04 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R060M2HXKSA1 IMW65R060M2HXKSA1 Infineon Technologies IMW65R060M2H_2_1.pdf Description: IMW65R060M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.4A, 20V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 669 pF @ 400 V
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+595.46 грн
30+334.49 грн
60+305.96 грн
120+264.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R060M2HXKSA1 IMW65R060M2HXKSA1 INFINEON 4421062.pdf Description: INFINEON - IMW65R060M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 32.8 A, 650 V, 0.073 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
на замовлення 724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R060M2HXKSA1 infineonimw65r060m2hdatasheetv0100en.pdf
IMW65R060M2HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 32.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+376.17 грн
30+372.37 грн
60+359.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R060M2HXKSA1 infineonimw65r060m2hdatasheetv0100en.pdf
IMW65R060M2HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 32.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 7920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+527.26 грн
3840+484.13 грн
5760+452.83 грн
7680+414.04 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R060M2HXKSA1 IMW65R060M2H_2_1.pdf
IMW65R060M2HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IMW65R060M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.4A, 20V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 669 pF @ 400 V
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+595.46 грн
30+334.49 грн
60+305.96 грн
120+264.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R060M2HXKSA1 4421062.pdf
IMW65R060M2HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMW65R060M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 32.8 A, 650 V, 0.073 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
на замовлення 724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.