Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMW65R072M1HXKSA1
IMW65R072M1HXKSA1

IMW65R072M1HXKSA1 Infineon Technologies

infineonimw65r072m1hdatasheetv0200en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
240+407.79 грн
2400+374.44 грн
3600+350.23 грн
4800+320.22 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMW65R072M1HXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMW65R072M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolSiC M1, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IMW65R072M1HXKSA1 за ціною від 227.89 грн до 1227.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IMW65R072M1HXKSA1 IMW65R072M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonimw65r072m1hdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+515.31 грн
50+395.45 грн
100+394.63 грн
200+378.97 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R072M1HXKSA1 IMW65R072M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMW65R072M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85c9c62a0482 Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 13.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 400 V
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+537.93 грн
30+259.79 грн
120+250.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R072M1HXKSA1 IMW65R072M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IMW65R072M1H_DataSheet_v02_00_EN-1840656.pdf SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+570.48 грн
10+283.77 грн
100+229.40 грн
480+227.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R072M1HXKSA1 IMW65R072M1HXKSA1 Виробник : INFINEON 3049634.pdf Description: INFINEON - IMW65R072M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+618.80 грн
5+569.70 грн
10+520.60 грн
50+298.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R072M1HXKSA1 IMW65R072M1HXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMW65R072M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85c9c62a0482 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 18A; Idm: 69A; 96W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 96W
Case: TO247
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1022.59 грн
2+748.32 грн
4+707.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R072M1HXKSA1 IMW65R072M1HXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMW65R072M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85c9c62a0482 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 18A; Idm: 69A; 96W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 96W
Case: TO247
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1227.10 грн
2+932.52 грн
4+848.93 грн
30+815.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R072M1HXKSA1 IMW65R072M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonimw65r072m1hdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R072M1HXKSA1 IMW65R072M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonimw65r072m1hdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R072M1HXKSA1 IMW65R072M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imw65r072m1h-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.