Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMW65R083M1HXKSA1
IMW65R083M1HXKSA1

IMW65R083M1HXKSA1 Infineon Technologies

infineonimw65r083m1hdatasheetv0202en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+294.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMW65R083M1HXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMW65R083M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-247, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IMW65R083M1HXKSA1 за ціною від 207.73 грн до 529.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMW65R083M1HXKSA1 IMW65R083M1HXKSA1 Infineon Technologies infineonimw65r083m1hdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+381.66 грн
100+362.93 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1 IMW65R083M1HXKSA1 Infineon Technologies infineonimw65r083m1hdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 23520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+429.24 грн
12000+394.13 грн
18000+368.65 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1 IMW65R083M1HXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IMW65R083M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627862c3e501786e1ef0e93c85 Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 624 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.3mA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 11.2A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+448.75 грн
30+248.24 грн
120+207.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1 IMW65R083M1HXKSA1 Infineon Technologies infineonimw65r083m1hdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+529.18 грн
50+515.13 грн
100+513.26 грн
200+494.02 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1 IMW65R083M1HXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IMW65R083M1H_DataSheet_v02_00_EN.pdf SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1 IMW65R083M1HXKSA1 INFINEON 3629237.pdf Description: INFINEON - IMW65R083M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1 infineonimw65r083m1hdatasheetv0202en.pdf
IMW65R083M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
93+381.66 грн
100+362.93 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1 infineonimw65r083m1hdatasheetv0202en.pdf
IMW65R083M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 23520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+429.24 грн
12000+394.13 грн
18000+368.65 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1 Infineon-IMW65R083M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627862c3e501786e1ef0e93c85
IMW65R083M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 624 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.3mA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 11.2A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+448.75 грн
30+248.24 грн
120+207.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1 infineonimw65r083m1hdatasheetv0202en.pdf
IMW65R083M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+529.18 грн
50+515.13 грн
100+513.26 грн
200+494.02 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1 Infineon_IMW65R083M1H_DataSheet_v02_00_EN.pdf
IMW65R083M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1 3629237.pdf
IMW65R083M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMW65R083M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.