Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMW65R083M1HXKSA1
IMW65R083M1HXKSA1

IMW65R083M1HXKSA1 Infineon Technologies

infineonimw65r083m1hdatasheetv0201en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+357.66 грн
30+354.91 грн
60+351.39 грн
120+300.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMW65R083M1HXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMW65R083M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-247, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 104W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm.

Інші пропозиції IMW65R083M1HXKSA1 за ціною від 300.31 грн до 581.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMW65R083M1HXKSA1 IMW65R083M1HXKSA1 Infineon Technologies infineonimw65r083m1hdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+357.66 грн
41+354.91 грн
60+351.39 грн
120+300.31 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1 IMW65R083M1HXKSA1 Infineon Technologies infineonimw65r083m1hdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+412.90 грн
100+392.73 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1 IMW65R083M1HXKSA1 Infineon Technologies infineonimw65r083m1hdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+430.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1 IMW65R083M1HXKSA1 Infineon Technologies infineonimw65r083m1hdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+430.41 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1 IMW65R083M1HXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IMW65R083M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627862c3e501786e1ef0e93c85 Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 11.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 624 pF @ 400 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+581.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1 IMW65R083M1HXKSA1 Infineon Technologies infineon_imw65r083m1h_datasheet_en.pdf SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1 IMW65R083M1HXKSA1 INFINEON 3629237.pdf Description: INFINEON - IMW65R083M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 104W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1 infineonimw65r083m1hdatasheetv0201en.pdf
IMW65R083M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+357.66 грн
41+354.91 грн
60+351.39 грн
120+300.31 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1 infineonimw65r083m1hdatasheetv0201en.pdf
IMW65R083M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
87+412.90 грн
100+392.73 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1 infineonimw65r083m1hdatasheetv0201en.pdf
IMW65R083M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+430.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1 infineonimw65r083m1hdatasheetv0201en.pdf
IMW65R083M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+430.41 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1 Infineon-IMW65R083M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627862c3e501786e1ef0e93c85
IMW65R083M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 11.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 624 pF @ 400 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+581.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1 infineon_imw65r083m1h_datasheet_en.pdf
IMW65R083M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1 3629237.pdf
IMW65R083M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMW65R083M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 104W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.