Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMW65R107M1HXKSA1
IMW65R107M1HXKSA1

IMW65R107M1HXKSA1 Infineon Technologies

infineonimw65r107m1hdatasheetv0200en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 248794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
99+361.46 грн
104+343.74 грн
500+324.84 грн
1000+296.16 грн
10000+258.40 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 99 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMW65R107M1HXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMW65R107M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 75W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolSiC M1, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm.

Інші пропозиції IMW65R107M1HXKSA1 за ціною від 187.71 грн до 503.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMW65R107M1HXKSA1 IMW65R107M1HXKSA1 Infineon Technologies infineonimw65r107m1hdatasheetv0200en.pdf CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+361.46 грн
104+343.74 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R107M1HXKSA1 IMW65R107M1HXKSA1 Infineon Technologies infineonimw65r107m1hdatasheetv0200en.pdf CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 10290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+361.46 грн
104+343.74 грн
500+324.84 грн
1000+296.16 грн
10000+258.40 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R107M1HXKSA1 IMW65R107M1HXKSA1 Infineon Technologies infineonimw65r107m1hdatasheetv0200en.pdf CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+406.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R107M1HXKSA1 IMW65R107M1HXKSA1 Infineon Technologies infineonimw65r107m1hdatasheetv0200en.pdf CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+406.09 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R107M1HXKSA1 IMW65R107M1HXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IMW65R107M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85d01cd50485 Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 8.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 496 pF @ 400 V
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+503.26 грн
30+278.53 грн
60+253.93 грн
120+218.87 грн
510+187.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R107M1HXKSA1 IMW65R107M1HXKSA1 Infineon Technologies infineon_imw65r107m1h_datasheet_en.pdf SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R107M1HXKSA1 IMW65R107M1HXKSA1 INFINEON 3049635.pdf Description: INFINEON - IMW65R107M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R107M1HXKSA1 infineonimw65r107m1hdatasheetv0200en.pdf
IMW65R107M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
99+361.46 грн
104+343.74 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R107M1HXKSA1 infineonimw65r107m1hdatasheetv0200en.pdf
IMW65R107M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 10290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
99+361.46 грн
104+343.74 грн
500+324.84 грн
1000+296.16 грн
10000+258.40 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R107M1HXKSA1 infineonimw65r107m1hdatasheetv0200en.pdf
IMW65R107M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+406.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R107M1HXKSA1 infineonimw65r107m1hdatasheetv0200en.pdf
IMW65R107M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
35+406.09 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R107M1HXKSA1 Infineon-IMW65R107M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85d01cd50485
IMW65R107M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 8.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 496 pF @ 400 V
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+503.26 грн
30+278.53 грн
60+253.93 грн
120+218.87 грн
510+187.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R107M1HXKSA1 infineon_imw65r107m1h_datasheet_en.pdf
IMW65R107M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R107M1HXKSA1 3049635.pdf
IMW65R107M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMW65R107M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.