IMWH170R1K0M1XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IMWH170R1K0M1XKSA1
Packaging: Tray
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 880mOhm @ 1A, 15V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U04
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): 15V, 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 233 pF @ 1000 V
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 330.26 грн |
| 10+ | 241.63 грн |
| 30+ | 219.17 грн |
| 90+ | 190.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMWH170R1K0M1XKSA1 Infineon Technologies
Description: IMWH170R1K0M1XKSA1, Packaging: Tray, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 880mOhm @ 1A, 15V, Power Dissipation (Max): 70W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.2mA, Supplier Device Package: PG-TO247-3-U04, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V, Vgs (Max): 15V, 12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 12 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 233 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції IMWH170R1K0M1XKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IMWH170R1K0M1XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC MOSFETs SIC DISCRETE |
товару немає в наявності |