Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMWH170R650M1XKSA1
IMWH170R650M1XKSA1

IMWH170R650M1XKSA1 Infineon Technologies

Infineon-IMWH170R650M1-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f1a6c06fe151a
Виробник: Infineon Technologies
Description: IMWH170R650M1XKSA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 337 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 12 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Vgs (Max): 15V, 12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U04
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.7mA
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 1.5A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+407.19 грн
30+244.80 грн
120+216.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMWH170R650M1XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMWH170R650M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.5 A, 1.7 kV, 0.58 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 88W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IMWH170R650M1XKSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMWH170R650M1XKSA1 IMWH170R650M1XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IMWH170R650M1_DataSheet_v01_00_EN.pdf SiC MOSFETs SIC DISCRETE
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMWH170R650M1XKSA1 IMWH170R650M1XKSA1 INFINEON 4198683.pdf Description: INFINEON - IMWH170R650M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.5 A, 1.7 kV, 0.58 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMWH170R650M1XKSA1 Infineon_IMWH170R650M1_DataSheet_v01_00_EN.pdf
IMWH170R650M1XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SIC DISCRETE
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMWH170R650M1XKSA1 4198683.pdf
IMWH170R650M1XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMWH170R650M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.5 A, 1.7 kV, 0.58 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.