на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 458.39 грн |
| 10+ | 379.96 грн |
| 25+ | 311.79 грн |
| 100+ | 267.15 грн |
| 240+ | 252.26 грн |
| 480+ | 237.38 грн |
| 1200+ | 203.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMWH170R650M1XKSA1 Infineon Technologies
Description: IMWH170R650M1XKSA1, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 1.5A, 15V, Power Dissipation (Max): 88W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.7mA, Supplier Device Package: PG-TO247-3-U04, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V, Vgs (Max): 15V, 12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 12 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 337 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції IMWH170R650M1XKSA1 за ціною від 249.58 грн до 483.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMWH170R650M1XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IMWH170R650M1XKSA1 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 1.5A, 15V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.7mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-U04 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V Vgs (Max): 15V, 12V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 12 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 337 pF @ 1000 V |
на замовлення 475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|