IMX1T110 Rohm Semiconductor
на замовлення 46084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2193+ | 5.79 грн |
| 2436+ | 5.22 грн |
| 2488+ | 5.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMX1T110 Rohm Semiconductor
Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA SMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74, SOT-457, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 300mW, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V, Frequency - Transition: 180MHz, Supplier Device Package: SMT6, Part Status: Active.
Інші пропозиції IMX1T110 за ціною від 4.36 грн до 35.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IMX1T110 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA SMT6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: SMT6 Part Status: Active |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMX1T110 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R |
на замовлення 17246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMX1T110 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA SMT6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: SMT6 Part Status: Active |
на замовлення 8143 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IMX1T110 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT DUAL NPN 50V 150MA SOT-457 |
на замовлення 8622 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMX1T110 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IMX1T110 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
IMX1T110 NPN SMD transistors |
на замовлення 2544 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IMX1T110 | Виробник : ROHM |
|
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| IMX1 T110 | Виробник : ROHM | 09+ |
на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| IMX1T110 | Виробник : ROHM |
SOT163 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |

