IMYH200R012M1HXKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6162.21 грн |
| 10+ | 5545.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMYH200R012M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMYH200R012M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 123 A, 2 kV, 0.0165 ohm, TO-247 Plus, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 123A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 552W, Bauform - Transistor: TO-247 Plus, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IMYH200R012M1HXKSA1 за ціною від 5633.85 грн до 7696.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMYH200R012M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SIC DISCRETE Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 60A, 18V Power Dissipation (Max): 552W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 48mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-U04 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +20V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 246 nC @ 18 V |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IMYH200R012M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IMYH200R012M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 123 A, 2 kV, 0.0165 ohm, TO-247 Plus tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 123A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 552W Bauform - Transistor: TO-247 Plus Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IMYH200R012M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 2KV 123A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IMYH200R012M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 2KV 123A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |