IMYH200R050M1HXKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: SIC DISCRETE
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V
Vgs (Max): +20V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U04
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 12.1mA
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1547.49 грн |
| 30+ | 998.90 грн |
| 120+ | 994.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMYH200R050M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: SIC DISCRETE, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 18 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V, Vgs (Max): +20V, -7V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Supplier Device Package: PG-TO247-4-U04, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 12.1mA, Power Dissipation (Max): 348W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20A, 18V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-4, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IMYH200R050M1HXKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IMYH200R050M1HXKSA1 | Infineon Technologies |
SiC MOSFETs CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package |
на замовлення 1321 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IMYH200R050M1HXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
SiC MOSFETs CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)