IMYH200R075M1HXKSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IMYH200R075M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 2 kV, 0.098 ohm, TO-247 Plus
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 267W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1667.07 грн |
| 5+ | 1617.56 грн |
| 10+ | 1567.21 грн |
| 50+ | 1018.46 грн |
| 100+ | 891.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMYH200R075M1HXKSA1 INFINEON
Description: INFINEON - IMYH200R075M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 2 kV, 0.098 ohm, TO-247 Plus, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 267W, Bauform - Transistor: TO-247 Plus, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IMYH200R075M1HXKSA1 за ціною від 957.12 грн до 1786.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMYH200R075M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SIC DISCRETE Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 13A, 18V Power Dissipation (Max): 267W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 7.7mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-U04 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +20V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V |
на замовлення 143 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IMYH200R075M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC MOSFETs CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package |
на замовлення 316 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IMYH200R075M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Silicon Carbide MOSFET |
товару немає в наявності |