Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMYH200R100M1HXKSA1
IMYH200R100M1HXKSA1

IMYH200R100M1HXKSA1 Infineon Technologies

Infineon_IMYH200R100M1H_DataSheet_v01_10_EN-3107383.pdf Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1237.66 грн
10+898.49 грн
240+708.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMYH200R100M1HXKSA1 Infineon Technologies

Description: SIC DISCRETE, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 131mOhm @ 10A, 18V, Power Dissipation (Max): 217W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 6mA, Supplier Device Package: PG-TO247-4-U04, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +20V, -7V, Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V.

Інші пропозиції IMYH200R100M1HXKSA1 за ціною від 705.47 грн до 1301.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IMYH200R100M1HXKSA1 IMYH200R100M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMYH200R100M1H-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85c5e5aa0185c6ef05a01123 Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 131mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U04
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1301.94 грн
30+779.39 грн
120+705.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMYH200R100M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imyh200r100m1h-datasheet-v01_10-en.pdf Silicon Carbide MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMYH200R100M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imyh200r100m1h-datasheet-v01_10-en.pdf Silicon Carbide MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.