IMYR140R019M2HXLSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40.4A, 18V
Power Dissipation (Max): 385W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 12.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-18
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.4 kV
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 1000 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1091.35 грн |
| 30+ | 649.22 грн |
| 120+ | 561.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMYR140R019M2HXLSA1 Infineon Technologies
Description: SIC DISCRETE, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40.4A, 18V, Power Dissipation (Max): 385W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 12.7mA, Supplier Device Package: PG-TO247-4-18, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +23V, -7V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1.4 kV, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції IMYR140R019M2HXLSA1 за ціною від 706.95 грн до 1148.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMYR140R019M2HXLSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package |
на замовлення 189 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|