IMZ120R030M1HXKSA1

IMZ120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies


infineon-imz120r030m1h-datasheet-v02_02-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20586 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1007.87 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMZ120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies

Description: SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 18V, Power Dissipation (Max): 227W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA, Supplier Device Package: PG-TO247-4-1, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +23V, -7V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 800 V.

Інші пропозиції IMZ120R030M1HXKSA1 за ціною від 935.33 грн до 2496.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IMZ120R030M1HXKSA1 IMZ120R030M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IMZ120R030M1H_DataSheet_v02_02_EN-3362543.pdf MOSFET SIC DISCRETE
на замовлення 2148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1571.78 грн
10+ 1487.91 грн
25+ 1097.56 грн
50+ 1090.21 грн
100+ 1039.47 грн
240+ 988.73 грн
480+ 935.33 грн
IMZ120R030M1HXKSA1 IMZ120R030M1HXKSA1 Виробник : INFINEON 2830780.pdf Description: INFINEON - IMZ120R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Anzahl der Pins: 4Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1615.43 грн
5+ 1491.86 грн
10+ 1368.29 грн
50+ 1251.08 грн
100+ 1016.18 грн
250+ 995.64 грн
IMZ120R030M1HXKSA1 IMZ120R030M1HXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMZ120R030M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fdcc776696 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 150A; 114W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 45A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -7...23V
On-state resistance: 57mΩ
Pulsed drain current: 150A
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1777.2 грн
2+ 1560.55 грн
IMZ120R030M1HXKSA1 IMZ120R030M1HXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMZ120R030M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fdcc776696 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 150A; 114W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 45A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -7...23V
On-state resistance: 57mΩ
Pulsed drain current: 150A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2132.64 грн
2+ 1944.68 грн
IMZ120R030M1HXKSA1 IMZ120R030M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imz120r030m1h-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+2496.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
IMZ120R030M1HXKSA1 IMZ120R030M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMZ120R030M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fdcc776696 Description: SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 800 V
товар відсутній