Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMZ120R030M1HXKSA1
IMZ120R030M1HXKSA1

IMZ120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies

infineonimz120r030m1hdatasheeten.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
35+1074.15 грн
100+1020.44 грн
500+966.74 грн
1000+880.42 грн
10000+767.25 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 35 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMZ120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMZ120R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247, tariffCode: 85411000, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 227W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm.

Інші пропозиції IMZ120R030M1HXKSA1 за ціною від 619.70 грн до 1721.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMZ120R030M1HXKSA1 IMZ120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies infineon-imz120r030m1h-datasheet-cn.pdf Description: SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 800 V
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1287.86 грн
30+764.42 грн
60+707.88 грн
120+619.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R030M1HXKSA1 IMZ120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies infineonimz120r030m1hdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1410.46 грн
10+870.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R030M1HXKSA1 IMZ120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies infineonimz120r030m1hdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1410.46 грн
17+870.65 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R030M1HXKSA1 IMZ120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies infineonimz120r030m1hdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1563.41 грн
10+1115.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R030M1HXKSA1 IMZ120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies infineonimz120r030m1hdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1563.41 грн
14+1115.83 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R030M1HXKSA1 IMZ120R030M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-imz120r030m1h-datasheet-cn.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 150A; 114W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 45A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -7...23V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 57mΩ
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1721.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R030M1HXKSA1 IMZ120R030M1HXKSA1 INFINEON 2830780.pdf Description: INFINEON - IMZ120R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R030M1HXKSA1 infineon-imz120r030m1h-datasheet-cn.pdf
IMZ120R030M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 800 V
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1287.86 грн
30+764.42 грн
60+707.88 грн
120+619.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R030M1HXKSA1 infineonimz120r030m1hdatasheeten.pdf
IMZ120R030M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1410.46 грн
10+870.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R030M1HXKSA1 infineonimz120r030m1hdatasheeten.pdf
IMZ120R030M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+1410.46 грн
17+870.65 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R030M1HXKSA1 infineonimz120r030m1hdatasheeten.pdf
IMZ120R030M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1563.41 грн
10+1115.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R030M1HXKSA1 infineonimz120r030m1hdatasheeten.pdf
IMZ120R030M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+1563.41 грн
14+1115.83 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R030M1HXKSA1 infineon-imz120r030m1h-datasheet-cn.pdf
IMZ120R030M1HXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 150A; 114W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 45A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -7...23V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 57mΩ
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1721.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R030M1HXKSA1 2830780.pdf
IMZ120R030M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZ120R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.