Продукція > INFINEON > IMZ120R030M1HXKSA1
IMZ120R030M1HXKSA1

IMZ120R030M1HXKSA1 INFINEON

2830780.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZ120R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1062.33 грн
5+1037.91 грн
10+1013.49 грн
50+918.42 грн
100+826.84 грн
250+805.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMZ120R030M1HXKSA1 INFINEON

Description: INFINEON - IMZ120R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247, tariffCode: 85411000, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 227W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IMZ120R030M1HXKSA1 за ціною від 652.91 грн до 2042.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IMZ120R030M1HXKSA1 IMZ120R030M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMZ120R030M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fdcc776696 Description: SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 800 V
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1179.81 грн
30+719.41 грн
120+652.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R030M1HXKSA1 IMZ120R030M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IMZ120R030M1H_DataSheet_v02_02_EN-3362543.pdf SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
на замовлення 1329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1214.88 грн
10+1192.52 грн
25+716.23 грн
50+714.05 грн
100+704.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R030M1HXKSA1 IMZ120R030M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imz120r030m1h-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 22800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
240+1233.95 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R030M1HXKSA1 IMZ120R030M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imz120r030m1h-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+1399.73 грн
10+1369.30 грн
100+1359.16 грн
200+1261.72 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R030M1HXKSA1 IMZ120R030M1HXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMZ120R030M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fdcc776696 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 150A; 114W
Power dissipation: 114W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -7...23V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 150A
On-state resistance: 57mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1702.17 грн
2+1495.17 грн
3+1494.41 грн
10+1472.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R030M1HXKSA1 IMZ120R030M1HXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMZ120R030M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fdcc776696 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 150A; 114W
Power dissipation: 114W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -7...23V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 150A
On-state resistance: 57mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2042.60 грн
2+1863.21 грн
3+1793.29 грн
10+1766.99 грн
30+1724.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R030M1HXKSA1 IMZ120R030M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imz120r030m1h-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.