IMZ120R045M1XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 829.08 грн |
| 16+ | 812.50 грн |
| 50+ | 811.67 грн |
| 100+ | 781.88 грн |
| 200+ | 665.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMZ120R045M1XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMZ120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 228W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IMZ120R045M1XKSA1 за ціною від 575.48 грн до 1627.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMZ120R045M1XKSA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IMZ120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 228W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IMZ120R045M1XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SICFET N-CH 1200V 52A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 15V FET Feature: Current Sensing Power Dissipation (Max): 228W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 800 V |
на замовлення 334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IMZ120R045M1XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET SIC DISCRETE |
на замовлення 260 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IMZ120R045M1XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A Tube |
товару немає в наявності |