IMZ120R045M1XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 52A TO247-4
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 228W (Tc)
FET Feature: Current Sensing
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1083.14 грн |
| 30+ | 638.41 грн |
| 120+ | 549.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMZ120R045M1XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMZ120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 228W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IMZ120R045M1XKSA1 за ціною від 854.95 грн до 1494.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMZ120R045M1XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMZ120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 228W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IMZ120R045M1XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFET SIC DISCRETE |
на замовлення 260 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IMZ120R045M1XKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZ120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 228W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IMZ120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 228W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1215.35 грн |
| 5+ | 1078.03 грн |
| 10+ | 939.88 грн |
| IMZ120R045M1XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET SIC DISCRETE
MOSFET SIC DISCRETE
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1494.94 грн |
| 10+ | 1309.85 грн |
| 25+ | 1060.76 грн |
| 50+ | 996.62 грн |
| 100+ | 964.20 грн |
| 240+ | 940.24 грн |
| 480+ | 854.95 грн |