Продукція > INFINEON > IMZ120R060M1HXKSA1
IMZ120R060M1HXKSA1

IMZ120R060M1HXKSA1 INFINEON

2830781.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZ120R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+688.91 грн
5+685.50 грн
10+682.09 грн
50+425.15 грн
100+370.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMZ120R060M1HXKSA1 INFINEON

Description: SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5.6mA, Supplier Device Package: PG-TO247-4-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +23V, -7V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 800 V.

Інші пропозиції IMZ120R060M1HXKSA1 за ціною від 326.17 грн до 1387.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IMZ120R060M1HXKSA1 IMZ120R060M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMZ120R060M1H-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fdba796693 Description: SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 800 V
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+742.42 грн
30+405.78 грн
120+362.29 грн
510+326.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R060M1HXKSA1 IMZ120R060M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IMZ120R060M1H_DataSheet_v02_02_EN-3163992.pdf MOSFET SIC DISCRETE
на замовлення 720 шт:
термін постачання 379-388 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1387.72 грн
10+1257.76 грн
100+923.46 грн
480+821.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R060M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imz120r060m1h-datasheet-v02_02-en.pdf Silicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 3470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+649.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R060M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imz120r060m1h-datasheet-v02_02-en.pdf Silicon Carbide Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R060M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imz120r060m1h-datasheet-v02_02-en.pdf Silicon Carbide Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.