IMZ120R060M1HXKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 800 V
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 753.27 грн |
| 30+ | 430.95 грн |
| 120+ | 366.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMZ120R060M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMZ120R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247, tariffCode: 85411000, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IMZ120R060M1HXKSA1 за ціною від 433.39 грн до 1458.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMZ120R060M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IMZ120R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247 tariffCode: 85411000 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 62 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IMZ120R060M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET SIC DISCRETE |
на замовлення 720 шт: термін постачання 379-388 дні (днів) |
|
||||||||||
| IMZ120R060M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Silicon Carbide Power Mosfet |
на замовлення 3470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IMZ120R060M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Silicon Carbide Power Mosfet |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| IMZ120R060M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Silicon Carbide Power Mosfet |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| IMZ120R060M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 26A; Idm: 76A; 75W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 26A Pulsed drain current: 76A Power dissipation: 75W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -7...23V On-state resistance: 113mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: CoolSiC™; SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
товару немає в наявності |