Продукція > INFINEON > IMZ120R090M1HXKSA1
IMZ120R090M1HXKSA1

IMZ120R090M1HXKSA1 INFINEON

2830782.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZ120R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+628.58 грн
5+522.57 грн
10+415.72 грн
50+385.25 грн
100+354.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMZ120R090M1HXKSA1 INFINEON

Description: INFINEON - IMZ120R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 115W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IMZ120R090M1HXKSA1 за ціною від 307.40 грн до 715.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IMZ120R090M1HXKSA1 IMZ120R090M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMZ120R090M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fda8396690 Description: SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 8.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 707 pF @ 800 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+641.55 грн
30+363.23 грн
120+307.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R090M1HXKSA1 IMZ120R090M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IMZ120R090M1H_DataSheet_v02_02_EN-3362076.pdf SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+715.36 грн
10+614.43 грн
25+432.34 грн
100+368.35 грн
240+367.60 грн
480+363.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R090M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imz120r090m1h-datasheet-v02_02-en.pdf Silicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+570.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R090M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imz120r090m1h-datasheet-v02_02-en.pdf Silicon Carbide Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R090M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imz120r090m1h-datasheet-v02_02-en.pdf Silicon Carbide Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R090M1HXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMZ120R090M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fda8396690 IMZ120R090M1HXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.