IMZ120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 8.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 707 pF @ 800 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 586.44 грн |
| 30+ | 330.96 грн |
| 120+ | 279.68 грн |
| 510+ | 242.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMZ120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMZ120R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 115W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IMZ120R090M1HXKSA1 за ціною від 272.06 грн до 662.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMZ120R090M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package |
на замовлення 416 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IMZ120R090M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IMZ120R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 311 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IMZ120R090M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Silicon Carbide Power Mosfet |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| IMZ120R090M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Silicon Carbide Power Mosfet |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| IMZ120R090M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
N-канальний ПТ, Udss, В = 1 200, Id = 26 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 707 @ 800, Qg, нКл = 21 @ 18 В, Rds = 117 мОм @ 8,5 A, 18 В, Ugs(th) = 5,7 В @ 3,7 мА, Р, Вт = 115, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-247-4 кількість в упаковці: 30 шт |
товару немає в наявності |