IMZ120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 443.62 грн |
| 10+ | 327.13 грн |
| 25+ | 282.28 грн |
| 100+ | 269.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMZ120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMZ120R220M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-247, tariffCode: 85411000, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IMZ120R220M1HXKSA1 за ціною від 261.66 грн до 618.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMZ120R220M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-4Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 4A, 18V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 289 pF @ 800 V |
на замовлення 86 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IMZ120R220M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IMZ120R220M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-247 tariffCode: 85411000 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IMZ120R220M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IMZ120R220M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
| IMZ120R220M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| IMZ120R220M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| IMZ120R220M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 9.5A; Idm: 21A; 37.5W Power dissipation: 37.5W Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO247-4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: CoolSiC™; SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -7...23V Drain current: 9.5A Pulsed drain current: 21A On-state resistance: 416mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| IMZ120R220M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 9.5A; Idm: 21A; 37.5W Power dissipation: 37.5W Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO247-4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: CoolSiC™; SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -7...23V Drain current: 9.5A Pulsed drain current: 21A On-state resistance: 416mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |