IMZ120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 39+ | 317.83 грн |
| 42+ | 298.04 грн |
| 50+ | 289.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMZ120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMZ120R350M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247, tariffCode: 85411000, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IMZ120R350M1HXKSA1 за ціною від 222.33 грн до 641.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMZ120R350M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IMZ120R350M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247tariffCode: 85411000 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 51 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IMZ120R350M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2A, 18V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 800 V |
на замовлення 289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IMZ120R350M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 15360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IMZ120R350M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IMZ120R350M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IMZ120R350M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package |
на замовлення 238 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IMZ120R350M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IMZ120R350M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| IMZ120R350M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IMZ120R350M1HXKSA1 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |