Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMZ120R350M1HXKSA1
IMZ120R350M1HXKSA1

IMZ120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies

infineon-imz120r350m1h-datasheet-v02_02-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+364.22 грн
42+341.53 грн
50+331.98 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMZ120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMZ120R350M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247, tariffCode: 85411000, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IMZ120R350M1HXKSA1 за ціною від 149.65 грн до 682.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMZ120R350M1HXKSA1 IMZ120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies infineon-imz120r350m1h-datasheet-en.pdf Description: SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-4
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+405.65 грн
30+222.44 грн
120+185.43 грн
510+149.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R350M1HXKSA1 IMZ120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies infineon-imz120r350m1h-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 15360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+599.33 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R350M1HXKSA1 IMZ120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies infineon-imz120r350m1h-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+682.41 грн
10+640.54 грн
100+579.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R350M1HXKSA1 IMZ120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies infineon-imz120r350m1h-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+682.41 грн
22+640.54 грн
100+579.38 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R350M1HXKSA1 IMZ120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IMZ120R350M1H_DataSheet_v02_02_EN.pdf SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R350M1HXKSA1 IMZ120R350M1HXKSA1 INFINEON infineon-imz120r350m1h-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IMZ120R350M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R350M1HXKSA1 infineon-imz120r350m1h-datasheet-en.pdf
IMZ120R350M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-4
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+405.65 грн
30+222.44 грн
120+185.43 грн
510+149.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R350M1HXKSA1 infineon-imz120r350m1h-datasheet-v02_02-en.pdf
IMZ120R350M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 15360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+599.33 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R350M1HXKSA1 infineon-imz120r350m1h-datasheet-v02_02-en.pdf
IMZ120R350M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+682.41 грн
10+640.54 грн
100+579.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R350M1HXKSA1 infineon-imz120r350m1h-datasheet-v02_02-en.pdf
IMZ120R350M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+682.41 грн
22+640.54 грн
100+579.38 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R350M1HXKSA1 Infineon_IMZ120R350M1H_DataSheet_v02_02_EN.pdf
IMZ120R350M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R350M1HXKSA1 infineon-imz120r350m1h-datasheet-en.pdf
IMZ120R350M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZ120R350M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.