IMZ1AS-AU_S1_000A1 Panjit International Inc.
Виробник: Panjit International Inc.
Description: TRANS NPN/PNP 60V 150MA SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SOT-23-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 27.00 грн |
| 19+ | 16.19 грн |
| 100+ | 10.17 грн |
| 500+ | 7.09 грн |
| 1000+ | 6.29 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
12 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMZ1AS-AU_S1_000A1 Panjit International Inc.
Description: TRANS NPN/PNP 60V 150MA SOT-23-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Complementary, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 300mW, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V, Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz, Supplier Device Package: SOT-23-6, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IMZ1AS-AU_S1_000A1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
IMZ1AS-AU_S1_000A1 | Panjit International Inc. |
Description: TRANS NPN/PNP 60V 150MA SOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz Supplier Device Package: SOT-23-6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
IMZ1AS-AU_S1_000A1 | Panjit |
Bipolar Transistors - BJT ComplementaryDualGeneralPurposeTransistor VCE-60/60V IC-150/150mA SOT23-6L AEC-Q101 Qualified |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IMZ1AS-AU_S1_000A1 | PanJit Semiconductor |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; 60V; 0.15A; 0.3W; SOT23-6L Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.15A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23-6L Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IMZ1AS-AU_S1_000A1 |
|
Виробник: Panjit International Inc.
Description: TRANS NPN/PNP 60V 150MA SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SOT-23-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS NPN/PNP 60V 150MA SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SOT-23-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IMZ1AS-AU_S1_000A1 |
|
Виробник: Panjit
Bipolar Transistors - BJT ComplementaryDualGeneralPurposeTransistor VCE-60/60V IC-150/150mA SOT23-6L AEC-Q101 Qualified
Bipolar Transistors - BJT ComplementaryDualGeneralPurposeTransistor VCE-60/60V IC-150/150mA SOT23-6L AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IMZ1AS-AU_S1_000A1 |
|
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; 60V; 0.15A; 0.3W; SOT23-6L
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23-6L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; 60V; 0.15A; 0.3W; SOT23-6L
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23-6L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.