Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMZA120R020M1HXKSA1
IMZA120R020M1HXKSA1

IMZA120R020M1HXKSA1 Infineon Technologies

Infineon-IMZA120R020M1H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f8795ca7f31d6
Виробник: Infineon Technologies
Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.9mOhm @ 41A, 18V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 17.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3460 pF @ 800 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1614.55 грн
30+983.67 грн
60+915.76 грн
120+805.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMZA120R020M1HXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMZA120R020M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.019 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 98A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 375W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm.

Інші пропозиції IMZA120R020M1HXKSA1 за ціною від 1466.40 грн до 1917.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMZA120R020M1HXKSA1 IMZA120R020M1HXKSA1 Infineon Technologies infineonimza120r020m1hdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 98A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1917.08 грн
10+1466.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R020M1HXKSA1 IMZA120R020M1HXKSA1 Infineon Technologies infineonimza120r020m1hdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 98A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1917.08 грн
10+1466.40 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R020M1HXKSA1 IMZA120R020M1HXKSA1 INFINEON 3704050.pdf Description: INFINEON - IMZA120R020M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.019 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R020M1HXKSA1 infineonimza120r020m1hdatasheeten.pdf
IMZA120R020M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 98A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1917.08 грн
10+1466.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R020M1HXKSA1 infineonimza120r020m1hdatasheeten.pdf
IMZA120R020M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 98A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+1917.08 грн
10+1466.40 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R020M1HXKSA1 3704050.pdf
IMZA120R020M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA120R020M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.019 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.