Продукція > INFINEON > IMZA120R020M1HXKSA1
IMZA120R020M1HXKSA1

IMZA120R020M1HXKSA1 INFINEON

3704050.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA120R020M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.019 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1425.39 грн
5+1381.43 грн
10+1337.48 грн
50+1201.88 грн
100+1071.75 грн
250+1034.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMZA120R020M1HXKSA1 INFINEON

Description: INFINEON - IMZA120R020M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.019 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 98A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IMZA120R020M1HXKSA1 за ціною від 912.87 грн до 2091.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IMZA120R020M1HXKSA1 IMZA120R020M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMZA120R020M1H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f8795ca7f31d6 Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.9mOhm @ 41A, 18V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 17.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3460 pF @ 800 V
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1589.57 грн
30+969.06 грн
120+912.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R020M1HXKSA1 IMZA120R020M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IMZA120R020M1H_DataSheet_v01_20_EN-3362172.pdf MOSFET SIC DISCRETE
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2091.12 грн
10+1832.59 грн
25+1486.16 грн
50+1440.44 грн
100+1393.27 грн
240+1299.66 грн
480+1195.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R020M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imza120r020m1h-datasheet-v01_10-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 98A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
240+1673.74 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R020M1HXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMZA120R020M1H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f8795ca7f31d6 IMZA120R020M1H THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.