IMZA120R030M1HXKSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IMZA120R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 1.2 kV, 0.0409 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0409ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1142.21 грн |
| 5+ | 1061.04 грн |
| 10+ | 979.03 грн |
| 50+ | 859.37 грн |
| 100+ | 760.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMZA120R030M1HXKSA1 INFINEON
Description: INFINEON - IMZA120R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 1.2 kV, 0.0409 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 273W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0409ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IMZA120R030M1HXKSA1 за ціною від 713.92 грн до 1146.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMZA120R030M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SIC DISCRETE Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.9mOhm @ 25.6A, 18V Power Dissipation (Max): 273W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 11mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +20V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 800 V |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IMZA120R030M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs CoolSiC 1200 V, 30 mohm SiC Trench MOSFET in TO-247-4 package |
на замовлення 1164 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|