Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMZA120R053M2HXKSA1
IMZA120R053M2HXKSA1

IMZA120R053M2HXKSA1 Infineon Technologies

infineon-imza120r053m2h-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c9625080601968fd4da235db1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IMZA120R053M2HXKSA1
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+720.54 грн
30+409.57 грн
60+375.64 грн
120+325.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMZA120R053M2HXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMZA120R053M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.069 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 38A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 182W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm.

Інші пропозиції IMZA120R053M2HXKSA1 за ціною від 296.54 грн до 777.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMZA120R053M2HXKSA1 IMZA120R053M2HXKSA1 Infineon Technologies infineon_imza120r053m2h_datasheet_en.pdf SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
на замовлення 668 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+777.77 грн
10+417.00 грн
100+334.83 грн
480+334.08 грн
1200+303.30 грн
2640+296.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R053M2HXKSA1 IMZA120R053M2HXKSA1 INFINEON Infineon-IMZA120R053M2H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c9625080601968fd4da235db1 Description: INFINEON - IMZA120R053M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.069 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 182W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R053M2HXKSA1 infineon_imza120r053m2h_datasheet_en.pdf
IMZA120R053M2HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
на замовлення 668 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+777.77 грн
10+417.00 грн
100+334.83 грн
480+334.08 грн
1200+303.30 грн
2640+296.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R053M2HXKSA1 Infineon-IMZA120R053M2H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c9625080601968fd4da235db1
IMZA120R053M2HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA120R053M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.069 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 182W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.