IMZA40R015M2HXKSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1156.10 грн |
| 10+ | 644.22 грн |
| 100+ | 555.08 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMZA40R015M2HXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMZA40R015M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 99 A, 400 V, 0.0191 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 99A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 273W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC G2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm.
Інші пропозиції IMZA40R015M2HXKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IMZA40R015M2HXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMZA40R015M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 99 A, 400 V, 0.0191 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 99A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 273W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm |
на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IMZA40R015M2HXKSA1 |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA40R015M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 99 A, 400 V, 0.0191 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 273W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
Description: INFINEON - IMZA40R015M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 99 A, 400 V, 0.0191 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 273W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)