Технічний опис IMZA65R007M2HXKSA1 Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 650V 210A PG-TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 146.3A, 20V, Power Dissipation (Max): 625W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 29.7mA, Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V, Vgs (Max): +23V, -7V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IMZA65R007M2HXKSA1 за ціною від 1369.52 грн до 2592.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMZA65R007M2HXKSA1 | Infineon Technologies |
 Description: SICFET N-CH 650V 210A PG-TO247-4Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 146.3A, 20V Power Dissipation (Max): 625W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 29.7mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V |
на замовлення 625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
IMZA65R007M2HXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 210A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
IMZA65R007M2HXKSA1 | Infineon Technologies |
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET |
на замовлення 1393 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IMZA65R007M2HXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 650V 210A PG-TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 146.3A, 20V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 29.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V
Description: SICFET N-CH 650V 210A PG-TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 146.3A, 20V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 29.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2363.07 грн |
| 30+ | 1493.59 грн |
| 120+ | 1369.52 грн |
| IMZA65R007M2HXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 210A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 210A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2592.51 грн |
| IMZA65R007M2HXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)