Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMZA65R007M2HXKSA1
IMZA65R007M2HXKSA1

IMZA65R007M2HXKSA1 Infineon Technologies

infineon-imza65r007m2h-datasheet-v01_00-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 210A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
240+1962.48 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMZA65R007M2HXKSA1 Infineon Technologies

Description: SILICON CARBIDE MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 146.3A, 20V, Power Dissipation (Max): 625W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 29.7mA, Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V, Vgs (Max): +23V, -7V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IMZA65R007M2HXKSA1 за ціною від 1409.72 грн до 2442.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IMZA65R007M2HXKSA1 IMZA65R007M2HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imza65r007m2h-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 210A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2100.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R007M2HXKSA1 IMZA65R007M2HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies IMZA65R007M2H.pdf Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 146.3A, 20V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 29.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2325.48 грн
30+1655.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R007M2HXKSA1 IMZA65R007M2HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_DS_IMZA65R007M2H_2_1-3423452.pdf SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2442.89 грн
10+2357.83 грн
25+1495.43 грн
100+1425.02 грн
240+1424.26 грн
480+1409.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R007M2HXKSA1 IMZA65R007M2HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imza65r007m2h-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 210A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.