Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMZA65R010M2HXKSA1
IMZA65R010M2HXKSA1

IMZA65R010M2HXKSA1 Infineon Technologies

infineon-imza65r010m2h-datasheet-v01_00-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 144A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2037.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMZA65R010M2HXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMZA65R010M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 650 V, 0.0131 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 144A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 440W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC G2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції IMZA65R010M2HXKSA1 за ціною від 2037.10 грн до 2037.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMZA65R010M2HXKSA1 IMZA65R010M2HXKSA1 Infineon Technologies infineon-imza65r010m2h-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 144A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2037.10 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R010M2HXKSA1 IMZA65R010M2HXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IMZA65R010M2H_DataSheet_v01_00_EN.pdf SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R010M2HXKSA1 IMZA65R010M2HXKSA1 INFINEON 4421063.pdf Description: INFINEON - IMZA65R010M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 650 V, 0.0131 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 440W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R010M2HXKSA1 infineon-imza65r010m2h-datasheet-v01_00-en.pdf
IMZA65R010M2HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 144A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+2037.10 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R010M2HXKSA1 Infineon_IMZA65R010M2H_DataSheet_v01_00_EN.pdf
IMZA65R010M2HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R010M2HXKSA1 4421063.pdf
IMZA65R010M2HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA65R010M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 650 V, 0.0131 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 440W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.