IMZA65R015M2HXKSA1 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA65R015M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 103 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMZA65R015M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 103 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1413.16 грн |
| 5+ | 1405.53 грн |
| 10+ | 1397.04 грн |
| 50+ | 964.08 грн |
| 100+ | 825.21 грн |
| 250+ | 796.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMZA65R015M2HXKSA1 INFINEON
Description: INFINEON - IMZA65R015M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 103 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 103A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 341W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IMZA65R015M2HXKSA1 за ціною від 824.19 грн до 1469.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMZA65R015M2HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET |
на замовлення 2293 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IMZA65R015M2HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IMZA65R015M2HXKSA1 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
IMZA65R015M2HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 103A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IMZA65R015M2HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 103A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |