Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMZA65R015M2HXKSA1
IMZA65R015M2HXKSA1

IMZA65R015M2HXKSA1 Infineon Technologies

infineon-imza65r015m2h-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2792 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13mA
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 64.2A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1105.33 грн
30+659.84 грн
120+593.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMZA65R015M2HXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMZA65R015M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 103 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 103A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 341W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IMZA65R015M2HXKSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMZA65R015M2HXKSA1 IMZA65R015M2HXKSA1 INFINEON infineon-imza65r015m2h-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IMZA65R015M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 103 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R015M2HXKSA1 IMZA65R015M2HXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IMZA65R015M2H_DataSheet_v01_00_EN-3421161.pdf SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 2293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R015M2HXKSA1 infineon-imza65r015m2h-datasheet-en.pdf
IMZA65R015M2HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA65R015M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 103 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R015M2HXKSA1 Infineon_IMZA65R015M2H_DataSheet_v01_00_EN-3421161.pdf
IMZA65R015M2HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 2293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.