IMZA65R020M2HXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1078.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMZA65R020M2HXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMZA65R020M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 83 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 83A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 273W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IMZA65R020M2HXKSA1 за ціною від 589.29 грн до 1481.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IMZA65R020M2HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH SiC 650V 83A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 91 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IMZA65R020M2HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET |
на замовлення 1437 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IMZA65R020M2HXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IMZA65R020M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 83 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 83A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 273W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IMZA65R020M2HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 83A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |